М. М. Аникин, А. А. Лебедев, И. В. Попов, В. П. Растегаев, А. М. Стрельчук, А. Л. Сыркин, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, В. Е. Челноков, “Электрические характеристики эпитаксиальных $p^{+}{-}n{-}n^{+}$-структур на основе карбида кремния политипа $6H$”, Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 2,страницы 298

Электрические характеристики эпитаксиальных $p^{+}{-}n{-}n^{+}$-структур на основе карбида кремния политипа $6H$

М. М. Аникин, А. А. Лебедев, И. В. Попов, В. П. Растегаев, А. М. Стрельчук, А. Л. Сыркин, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, В. Е. Челноков

Аннотация: Изготовлены эпитаксиальные $p^{+}{-}n{-}n^{+}$-структуры на основе карбида кремния политипа $6H$ с напряжением пробоя свыше 300 В и на прямые токи ${\sim1}$ А (${j\sim 200\,\text{А/см}^{2}}$) при напряжениях ${\sim4}$ В, работоспособные до температур ${\sim800}$ K. Обратные токи при температуре 720 K и напряжении ${\sim300}$ В составляют ${\sim10^{-6}}$ А.
Эффективное время жизни неосновных носителей в слое объемного заряда при высоких температурах в предположении модели Шокли–Нойса–Саа составляет ${\sim10}$ нс.