Аннотация:
В пленках $p$-GaAsSb обнаружено аномальное положительное
магнитосопротивленне квантовой природы. Его анализ производился с учетом
вырождения валентной зоны и позволил отделить вклад, соответствующий
спиновому моменту ${j =0}$, и определить время сбоя фазы волновой функции
дырок. Найдены вклады, соответствующие спиновым моментам
${1\leqslant j\leqslant 3}$. Присущая им магнитопроводимость подобна той,
которая наблюдалась в тетрагональном $p$-CdSnAs$_{2}$, что, по-видимому,
обусловлено остаточными упругими напряжениями, возникающими
из-за несоответствия постоянных решетки подложки и пленки.