Ограничение времени жизни сферическими дефектами структуры в фоточувствительных полупроводниках

Теоретически исследовано влияние протяженных дефектов (включений сферической формы) с повышенным темпом рекомбинации на время жизни неравновесных носителей заряда в фоточувствительной полупроводниковой матрице. Степень их влияния описывается скоростью поверхностной рекомбинации $s$ на границе раздела включение–матрица и эффективной длиной $L_{c}$ — монотонно возрастающей функции от $s$, радиуса дефекта $r_{c}$ и диффузионной длины неосновных носителей $L$. Вводится критическая плотность включений, выше которой эффективное среднее время жизни $\bar\tau$ не определяется объемной скоростью рекомбинации. Рассчитаны зависимости $\bar\tau$ от плотности и размера включений для твердого раствора Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te $n$- и $p$-типа.