RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 3, страницы 413–418 (Mi phts2755)

Расчет основных характеристик фотонно-инжекционного импульсного тиристора на основе гетероструктуры

Б. И. Григорьев, В. И. Корольков, А. В. Рожков


Аннотация: Изложены физические основы работы нового типа импульсных тиристоров — фотонно-инжекционных. Предложена теория работы прибора в стационарных режимах. Получены условия лавинного роста тока в приборе при низком и высоком уровнях инжекции в слабо легированном $n^{0}$-слое. Показано, что фотонно-инжекционный импульсный тиристор в отличие от традиционных реально является полностью управляемым прибором, так как может быть выключен по цепи управления. В этих тиристорах высока эффективность процесса модуляции слабо легированного $n^{0}$-слоя. Основные результаты предложенной теории находятся в согласии с экспериментальными данными.



© МИАН, 2024