Локализация квазидвумерных экситонов на островковых увеличениях ширины квантовой ямы

Исследована низкотемпературная фотолюминесценция структур с квантовыми ямами GaAs$-$AlGaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Показано, что экситоны в таких структурах локализуются на островковых флуктуациях ширины квантовой ямы в зависимости от соотношения размера островка и диаметра экситона. Анализ особенностей спектров излучения в магнитном поле при изменении температуры и плотности возбуждения позволил впервые определить характерные размеры таких флуктуаций и характеризовать микроструктуру гетерограниц в квантовой яме на монослойном уровне.