О возможности немонотонного хода потенциала в аккумуляционном слое

Исследованы условия возникновения на границе полупроводника явления «переэкранировки» внешнего электрического поля, т. е. возникновения немонотонных зависимостей электростатического потенциала от расстояния до границы полупроводника. Расчеты произведены для слабо легированного полупроводника при нулевой температуре и достаточно слабого внешнего поля, когда электронами заселен только один уровень размерного квантования. Показано, что в термодинамическом равновесии немонотонный ход потенциала может наблюдаться на поверхности (111) кремния, а под действием света — и в других структурах. Продемонстрирована важная роль, которую играют в этом явлении многочастичные эффекты.