RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 3, страницы 455–460 (Mi phts2761)

Динамика пробоя мелких акцепторов в германии в сильных электрических полях

А. Ю. Даргис, С. В. Жураускас


Аннотация: Исследована динамика пробоя мелких примесей в дырочном германии при гелиевых температурах в наносекундном диапазоне времен и измерена зависимость коэффициента ударной ионизации $A_{i}$ от электрического поля в диапазоне ${E=10\div500}$ В/см. Найдено, что в сильных полях (${E>100}$ В/см) $A_{i}$ — насыщается. Из сравнения теоретических расчетов с экспериментальными данными определено боровское сечение для ударной ионизации примесей галлия в германии ${\sigma_{0}=7\cdot10^{-13}\,\text{см}^{2}}$.



© МИАН, 2025