RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 3, страницы 461–464 (Mi phts2762)

Электрофизические свойства контактов с барьером Шоттки на аморфном гидрированном кремнии

В. И. Стриха, В. В. Ильченко, М. М. Мездрогина, А. А. Андреев


Аннотация: Исследованы механизмы переноса тока через барьер металл–аморфный гидрированный кремний. Обнаружено существование надбарьерного и генерационно-рекомбинационного механизмов. Показано, что технологические параметры получения пленок (температура подложки, скорость напыления) определяют механизм переноса тока. Исследования проводились с помощью анализа темновых ВАХ структур с барьером Шоттки, изготовленных на пленках аморфного гидрированного кремния.



© МИАН, 2024