Физика и техника полупроводников,
1988, том 22, выпуск 3,страницы 485–488(Mi phts2766)
Эффекты электрон-фононного взаимодействия в примесной
фотопроводимости $n\text{-GaP}\langle\text{Ni}\rangle$
Ю. В. Захаров, Д. И. Материкин, Н. Н. Прибылов, Л. П. Бордюжа, С. И. Рембеза
Аннотация:
Исследована примесная фотопроводимость (ФП) образцов фосфида
галлия, диффузионно легированных никелем. В спектрах ФП присутствует
резонансная полоса, имеющая гауссову форму, с максимумом вблизи 0.74 эВ
при 300 K. Ее положение, интенсивность и полуширина зависят
от температуры. Установлена связь этой полосы в спектрах ФП с бесфононной
линией ${\hbar\omega_{\text{БФЛ}}=0.664}$ эВ в оптическом поглощении,
обусловленной переходами ${{}^{2}T_{2}\to{}^{2}E}$ внутри
центра Ni$^{2-}(3d^{9})$, и показано, что резонансная полоса ФП в
$n\text{-GaP}\langle\text{Ni}\rangle$ связана с фототермическим процессом:
оптический переход ${{}^{2}T_{2}\to{}^{2}E}$ внутри центра
Ni$^{2-}(3d^{9})$ сопровождается последующим термическим
выбросом электрона с центра, находящегося в возбужденном состоянии ${}^{2}E$,
в зону проводимости. Определены положения примесного уровня центра
Ni$^{2-}(3d^{9})$ в запрещенной зоне GaP, а также его возбужденного
состояния ${}^{2}E$.