Неомические эффекты в ВЧ прыжковой проводимости

Рассмотрены неомические эффекты в ВЧ прыжковой проводимости $\sigma(\omega)$ в полупроводниках в случае, когда доминирует релаксационный механизм поглощения. Проанализированы зависимости неомического вклада в Re $\sigma(\omega)$ от частоты $\omega$, температуры $T$ и амплитуды $\mathcal{E}_{0}$ переменного электрического поля. Показано, что в случае достаточно низких частот указанный неомический вклад пропорционален |$\mathcal{E}_{0}$|. Причина такой неаналитической зависимости состоит в том, что основную роль в этой ситуации играют пары доноров с расстоянием между уровнями, гораздо меньшим $T$, для которых отклик на поле существенно нелинеен. Рассмотрена зависимость неомической части Re $\sigma(\omega)$ от магнитного поля.