RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 7, страницы 1166–1173 (Mi phts277)

Природа электрической неактивности примесных атомов железа в полупроводнике In$_{2}$Te$_{3}$

Ф. С. Насрединовa, В. П. Подхалюзинa, П. П. Серегинa, Х. У. Чирнерb, Р. Ренчb, Т. Борнb

a Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград
b Высшая техническая школа

Аннотация: Показано, что введение примесных атомов железа в In$_{2}$Te$_{3}$ не приводит к появлению примесной проводимости, а атомы железа в форме Fe$^{2+}$ образуют ассоциаты со структурными дефектами в решетке In$_{2}$Te$_{3}$. Отсутствие влияния железа на проводимость In$_{2}$Te$_{3}$ объясняется появлением в легированном материале ионов In$^{+}$, способствующих фиксации уровня Ферми в середине запрещенной зоны.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 10.07.1985
Принята в печать: 27.11.1985



© МИАН, 2024