Аннотация:
Приведены результаты исследования дозовой зависимости
на процессы дефектообразования в имплантированных аргоном структурах Si
при эпитаксиальном росте пленок. Показано существование трех характерных
областей доз имплантации, которым соответствуют различные типы дефектов
эпитаксиальной пленки. На основе расчетов и экспериментальных данных показано,
что увеличение длины планарного геттерирования при дозах
${\gtrsim5\cdot10^{15}\,\text{см}^{-2}}$ обусловлено появлением межзеренных
границ и определяется упругими взаимодействиями,
между ТД, дислокационными петлями и межзеренными границами.
УДК:
621.315.592
Поступила в редакцию: 01.08.1985 Принята в печать: 27.11.1985