И. Я. Мармур, Я. А. Оксман, “Релаксация фотоинжектированных носителей в германиевых $p{-}n$-переходах”, Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 3,страницы 525

ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 3, страницы 525–527 (Mi phts2780)

Краткие сообщения

Релаксация фотоинжектированных носителей в германиевых $p{-}n$-переходах

И. Я. Мармур, Я. А. Оксман