RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 3, страницы 536–538 (Mi phts2785)

Краткие сообщения

Исследование влияния глубоких уровней на микроплазменный пробой $p{-}n$-переходов

Ю. В. Выжигин, Б. Н. Грессеров, Н. А. Соболев




© МИАН, 2024