RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 3, страницы 547–550 (Mi phts2789)

Краткие сообщения

Особенности проводимости полупроводников, обусловленные дефектами с сильным электрон-решеточным взаимодействием

Л. И. Шпинар, И. И. Ясковец




© МИАН, 2024