RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 7, страницы 1180–1183 (Mi phts279)

Нелинейное поглощение света в $p$-Ge в ИК области спектра

Е. В. Берегулин, С. Д. Ганичев, И. Д. Ярошецкий

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

Аннотация: Работа посвящена изучению поведения коэффициента поглощения в $p$-Ge в зависимости от интенсивности света.
Показано, что при больших интенсивностях света, кроме ранее рассмотренного явления просветления, существенное влияние на коэффициент поглощения оказывает двухфотонное внутризонное поглощение.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 25.06.1985
Принята в печать: 29.11.1985



© МИАН, 2024