RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 4, страницы 569–574 (Mi phts2796)

Гофрировка валентной зоны кристаллов фосфида индия

М. А. Алексеев, И. Я. Карлик, Д. Н. Мирлин, В. Ф. Сапега


Аннотация: Обнаружена значительная анизотропия степени линейной поляризации горячей фотолюминесценции (ГФЛ) в кристаллах фосфида индия, что свидетельствует о существенной гофрировке валентной зоны этого материала. Для определения ее параметров рассчитаны спектр и поляризация ГФЛ в модели, учитывающей непараболичность как зоны проводимости, так и подзоны тяжелых дырок. Из сопоставления результатов расчета и эксперимента определено значение параметра Латтинжера ${\gamma_{3}=2.10\pm0.10}$.



© МИАН, 2024