А. С. Веденеев, Г. И. Воронкова, А. Г. Ждан, Ш. М. Коган, Т. М. Лифшиц, В. В. Рыльков, “Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 4,страницы 586

Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках

А. С. Веденеев, Г. И. Воронкова, А. Г. Ждан, Ш. М. Коган, Т. М. Лифшиц, В. В. Рыльков

Аннотация: Рассмотрены пределы применимости классического метода, основанного на измерениях температурной зависимости коэффициента Холла, для определения концентраций мелких остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках. Установлены требования к точности измерений. Показано, что сочетание равновесных и неравновесных (с ИК подсветкой) измерений позволяет просто и с приемлемой точностью определять концентрации компенсирующих и сопутствующих примесей.