Определение профиля концентрации мелких примесей методом поляризованной люминесценции в структурах с квантовыми ямами

Особенности низкотемпературного примесного излучения, обусловленного зависимостью энергии связи мелкого акцептора от его местоположения в квантовой яме, исследованы по спектрам поляризованной люминесценции, возникающей в магнитном поле и при возбуждении циркулярно поляризованным светом структур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Анализ спектров оптической ориентации электронов и поляризации дырок, связанных на акцепторах, в магнитном поле позволил построить распределение концентрации остаточной примеси (углерода) по профилю структуры с квантовыми ямами. Обнаружена зависимость $g$-фактора акцептора от его местоположения в квантовой яме.