Обратный ток и фототок $p{-}n$-перехода с высокой концентрацией рекомбинационных центров

Вычислены темновой ток и фототок обратно смещенного $p{-}n$-перехода с произвольной концентрацией рекомбинационных центров $N$ в области пространственного заряда, когда распределение носителей в поле перехода не является квазиравновесным. Показано, в частности, что квантовый выход может зависеть от напряжения смещения и температуры и при больших $N$ существенно меньше единицы.