Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы

Рассмотрено влияние резкой гетерограницы на положение и ширину донорных и акцепторных центров в полупроводниках типа GaAs. Получены асимптотические выражения, справедливые, когда расстояние от центра до гетерограницы превосходит радиус связанного состояния. Анализируются различия между кулоновскими центрами и центрами, описываемыми потенциалом «нулевого» радиуса.