RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 4, страницы 634–637 (Mi phts2809)

О влиянии германия на образование электрически активных дефектов в кремнии

П. В. Кучинский, В. М. Ломако, И. З. Рутковский, В. В. Счастный, А. Д. Тарасевич, Л. Н. Шахлевич


Аннотация: Методом емкостной спектроскопии установлено, что легирование кремния германием в диапазоне ${N_{\text{Ge}}\simeq 10^{18}\div2\cdot 10^{21}\,\text{см}^{-3}}$ не приводит к образованию электрически активных центров. Показано, что введение германия не влияет на энергетический спектр радиационных дефектов, их кинетику накопления, радиационное изменение времени жизни неосновных носителей заряда. На основании этого делается вывод, что на начальных потоках облучения (степень компенсации ${K\lesssim 0.7}$) атомы германия практически не влияют на процессы аннигиляции первичных радиационных дефектов в кремнии. Установлено также, что легирование кремния германием не влияет на процессы отжига и перестройки радиационных дефектов.



© МИАН, 2024