RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 7, страницы 1190–1194 (Mi phts281)

Хаотические автоколебания фотопроводимости $n$-Ge(Ni)

С. Б. Бумялене, К. А. Пирагас, Ю. К. Пожела, А. В. Тамашявичюс

Институт физики полупроводников АН ЛитССР

Аннотация: Исследованы спонтанные автоколебания фотопроводимости германия $n$-типа, компенсированного никелем, возникающие при разогреве носителей заряда электрическим полем. Обнаружено, что с повышением напряженности ноля эти колебания превращаются из периодических в хаотические, имеющие сплошной спектр в интервале частот 5$-$15 кГц. Установлено, что неустойчивость развивается при положительной дифференциальной проводимости в пространственно однородных условиях. Рассмотрена модель стохастической рекомбинационной неустойчивости, в трехуровневой системе. Проведен анализ уравнений динамики рекомбинации горячих электронов через отталкивающие центры никеля и собственные дислокации.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 02.12.1985
Принята в печать: 14.12.1985



© МИАН, 2024