Оже-рекомбинация и разогрев носителей при высоком уровне фотовозбуждения квантово-размерных гетероструктур InGaAsP/InP (${\lambda=1.3}$ мкм) и InGaAsP/GaAs (${\lambda=0.85}$ мкм)

Приводятся результаты исследования зависимостей квантовой эффективности ($\eta_{e}$) от уровня фотовозбуждения ($I$) в двойных InGaAsP/InP- и InGaAsP/GaAs-гетероструктурах (ДГС) с толщиной активной области ${d_{a}=l50{-}900}$ Å. При ${T=300}$ K обнаружено падение $\eta_{e}$ с повышением интенсивности накачки как в InGaAsP/InP ДГС, так и в InGaAsP/GaAs ДГС. Показано, что в исследованном диапазоне $d_{a}$ зависимости ${\eta_{e}=f(I)}$ могут быть объяснены влиянием оже-рекомбинации, если принять, что соответствующие значения коэффициента оже-рекомбинации $R$ составляют ${2\cdot 10^{-29}\,\text{см}^{6}/\text{с}}$ для InGaAsP/InP ДГС и ${0.7\cdot10^{-29}\,\text{см}^{6}/\text{с}}$ для InGaAsP/GaAs ДГС. При 77 K спад $\eta_{e}$ с увеличением уровня накачки наблюдался только в InGaAsP/InP-гетероструктурах. Анализ формы спектров краевого излучения исследованных в InGaAsP/InP и InGaAsP/GaAs ДГС показал, что при 77 K температура неравновесных носителей значительно выше решеточной. При толщине ${d_{a}=150}$ Å и интенсивности накачки порядка ${6\cdot 10^{3}\,\text{A}/\text{см}^{2}}$ превышение составляет около 90 K для InGaAsP/GaAs-структуры и 130 K для InGaAsP/InP-структуры.