RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 4, страницы 664–669 (Mi phts2814)

Синие SiC-$6H$-светодиоды

Б. И. Вишневская, В. А. Дмитриев, И. Д. Коваленко, Л. М. Коган, Я. В. Морозенко, В. С. Родкин, А. Л. Сыркин, Б. В. Царенков, В. Е. Челноков


Аннотация: Представлены электрические и электролюминесцентные характеристики и параметры светодиодов синего свечения, изготовленных на основе карбида кремния политипа $6H$.
$p{-}n$-Структуры изготавливались методом бесконтейнерной жидкостной эпитаксии на подложках $n\text{-SiC-}6H$; $n$-слой содержал азот, $p$-слой был легирован алюминием.
$p{-}n$-Переход резкий, емкостное напряжение отсечки 2.6 В (293 K). Площадь $p{-}n$-перехода светодиодной меза-структуры порядка $10^{-3}\,\text{см}^{2}$. Свет выводился через $n$-подложку.
Максимум спектра электролюминесценции расположен в синей области. Зависимость интенсивности люминесценции от тока близка к линейной. Внешний квантовый выход равен $10^{-4}$ (293 K) и уменьшается с ростом температуры. Сила света светодиодов с полушириной диаграммы направленности излучения $12^{\circ}$ равна 2 мкд при токе 20 мА и 293 K (напряжение 3.4 В). Быстродействие светодиода порядка 1 мкс.



© МИАН, 2024