Аннотация:
Показано, что в собственных полупроводниках или в
полупроводниках с неравновесной электронно-дырочной плазмой
при температуре решетки порядка или выше комнатной разогрев носителей
в постоянном или высокочастотном поле, много меньшем поля лавинного пробоя,
приводит к скачкообразному спонтанному образованию областей с высокой
скоростью ударной ионизации, размером в несколько длин релаксации
энергии носителей.
УДК:
621.315.592
Поступила в редакцию: 20.11.1985 Принята в печать: 20.12.1985