О механизмах рекомбинации носителей тока в $p$-InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$

Проведены экспериментальные исследования кинетики релаксации фотопроводимости, стационарной фотопроводимости и фотомагнитного эффекта эпитаксиальных слоев $p$-InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$ (${x=0.05}$, ${y=0.11}$) в интервале температур ${77\div295}$ K и определены времена жизни носителей тока. Рассчитаны времена жизни межзонной излучательной и оже-рекомбинаций с учетом градиента ширины запрещенной зоны, а также вклад времен захвата и рекомбинации на глубоких центрах (${E_{f}=0.13}$ эВ). Показано, что только совместный учет этих механизмов рекомбинаций удовлетворительно объясняет температурный ход времен жизни носителей тока в изученных кристаллах.