RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 5, страницы 793–798 (Mi phts2849)

Описание переноса электронов в гетероструктурах с селективным легированием с помощью уравнений баланса

В. Б. Горфинкель, С. Г. Шофман


Аннотация: Предложен феноменологический подход к описанию динамики процессов разогрева и переноса горячих электронов в гетероструктурах с селективным легированием (ГСЛ), основанный на решении уравнений баланса энергии, импульса и числа частиц в слоях. Энергетические зависимости времен релаксации, входящие в уравнения баланса, рассчитываются методом Монте-Карло для материалов слоев в постоянном электрическом поле. Проведен расчет зависимостей средней дрейфовой скорости от поля и дифференциальной проводимости от частоты переменного сигнала для ГСЛ GaAs$-$Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As с учетом искривления дна зоны проводимости, вызванного пространственным зарядом на границах слоев ГСЛ.



© МИАН, 2024