Низкотемпературные особенности явлений переноса в $n$-Ge вблизи перехода металл–диэлектрик

На некомпенсированных образцах Ge : Sb с концентрациями электронов от $1.1\cdot10^{17}$ до ${1.5\cdot10^{18}\,\text{см}^{-3}}$ в интервале температур 0.07$-$2.5 K измерены проводимость $\sigma(T)$ и коэффициент Холла $R(T)$ в слабом магнитном поле ${H=1}$ кЭ. В интервале температур 1.8$-$77 K измерено магнитосопротивление в сильных магнитных полях до 340 кЭ. Результаты измерений $\sigma(T)$ и $R(T)$ в области сверхнизких температур сопоставляются с теорией, учитывающей квантовые поправки к проводимости. Установленное значительное расхождение между теорией и экспериментом, по мнению авторов, связано с тем, что электронные состояния в области металлической проводимости вблизи перехода металл–диэлектрик квазилокализованы. Поведение магнитосопротивления в сильных магнитных полях качественно согласуется с этим предположением. Получено эмпирическое соотношение $\sigma(T)$, позволяющее описать проводимость не только Ge : Sb, но и других полупроводников.