Диффузия радиационных дефектов из области упругого торможения ионов фосфора в кремнии

Определены энергетические уровни и термическая устойчивость радиационных дефектов, возникающих за границей $n{-}p$-переходов, полученных имплантацией ионов фосфора в кремний $p$-типа. Предполагалось, что наблюдаемые на глубинах ${\sim870}$ нм дефекты являются комплексами вакансий с атомами кислорода. Образование таких центров возможно вследствие диффузии вакансий из зоны генерации дефектов (${20\div25}$ нм) в объем материала с последующим захватом их атомами кислорода. Проведена оценка диффузионной длины вакансии ${L\simeq0.01}$ мкм.