Влияние нейтронного облучения и отжига на свойства кремния, легированного германием

Исследовалось влияние облучения большими дозами нейтронов [${(0.2\div2)\cdot 10^{19}\,\text{см}^{-2}}$] и изохронного отжига ($200{-}750^{\circ}$С) на оптические и структурные свойства Si, легированного Ge [концентрация Ge ${(0.5\div3)\cdot10^{20}\,\text{см}^{-3}}$]. Показано, что присутствие Ge в Si (в особенности при больших концентрациях) замедляет генерацию дивакансий и изменяет характер их отжига, замедляет отжиг дефектов, ответственных за краевое поглощение и деформационный пик в облученном Si, замедляет генерацию суперкластеров, образующихся в результате облучения и отжига. Делается вывод, что упругие напряжения, возникающие в Si из-за присутствия атомов Ge, уменьшают концентрацию вакансий, возникающих при облучении в области каскада соударений, и способствуют накоплению междоузельных атомов в кристалле Si.