Термоэдс $n$-Ge вблизи перехода металл–диэлектрик

На некомпенсированных кристаллах Ge : Sb и Ge : As с концентрациями электронов ${3.5\cdot10^{16}{-}3.0\cdot10^{18}\,\text{см}^{-3}}$ в интервале температур ${5\leqslant T\leqslant200}$ K измерены зависимости термоэдс $\alpha$ от температуры и поперечных размеров образцов. Для большинства образцов на кривых $|\alpha(T)|$ наблюдался максимум. Установлено, что температура максимума $|\alpha(T)|$ близка к температуре $T_{0}$, разделяющей области сильного и слабого рассеяния электронов. Предложено объяснение причин возникновения максимума $|\alpha(T)|$.