Распределение радиационных дефектов и физическая природа «аномальных» спектров DLTS в кремниевых диодах, облученных $\alpha$-частицами

Исследованы распределение радиационных дефектов при $\alpha$-облучении кремниевых диодов и структура тонкого перекомпенсированного слоя, возникающего в области максимума концентрации $\alpha$-радиационных дефектов. Для обнаружения и определения параметров перекомпенсированного слоя разработан комплексный метод релаксационной спектроскопии. Измерялись релаксация емкости и тангенса угла потерь, а также температурная зависимость емкости и тангенса угла потерь. Показано, что после переключения от прямого до обратного напряжения сопротивление перекомпенсированного слоя возрастает во времени. Это возрастание приводит к уменьшению измеренной емкости, хотя барьерная емкость при этом не уменьшается. Предложена модель, объясняющая возрастание сопротивления перекомпенсированного слоя после инжекции. Неоднородное по глубине распределение радиационных дефектов может быть использовано для локального управления временем жизни.