О природе индуцированного магнитным полем перехода металл–диэлектрик в $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te

Обсуждаются различные модели перехода металл–диэлектрик, наблюдаемого в легированных полупроводниковых кристаллах $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te под действием магнитного поля. Проведены измерения гальваномагнитных свойств $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te; [${x=0.16\div0.22}$; ${n=(1\div13)\cdot10^{14}\,\text{см}^{-3}}$] в магнитных полях ${H\leqslant 70}$ кЭ при ${1.4\leqslant T\leqslant25}$ K. Получена зависимость поля перехода от степени компенсации образца, однозначно свидетельствующая в пользу модели, связанной с локализацией электронов в ямах флуктуационного потенциала.