О поглощении звука свободными носителями в слабо легированных компенсированных полупроводниках

Рассмотрено поглощение ультразвука в слабо легированных компенсированных полупроводниках при низких температурах. Показано, что наряду с прыжковым поглощением заметный вклад могут давать электроны, локализованные в крупномасштабном потенциальном рельефе. Проанализированы зависимости указанного вклада от частоты и температуры в различных предельных случаях; показано, что они существенно отличаются от соответствующих зависимостей как для поглощения носителями на уровне протекания, так и для прыжкового поглощения.