Экспериментальное наблюдение эффектов размерного квантования в гетеролазерных структурах со случайными изменениями толщины квантово-размерного активного слоя

Изучены особенности люминесценции гетероструктур InGaAsP/InP с квантово-размерным активным слоем и поляризационные характеристики генерируемого в таких структурах лазерного излучения в условиях распределенной обратной связи (РОС). Показано, что одновременное существование в широком диапазоне температур $TE$ и $TM$ РОС линий генерации в гетеролазерах с деформированным квантово-размерным активным слоем, а также уширение полосы люминесценции являются характерными для случая неоднородной толщины активного слоя.