Рефракция света в полупроводниках

Проведен анализ рефрактометрических параметров полупроводников в области их оптической прозрачности, в том числе показателя преломления $n$, дисперсии $dn/d\lambda$, температурного коэффициента $dn/dT$. Сопоставлены различные подходы к теоретическому описанию рефрактометрических свойств полупроводников. Подробно рассмотрены полуэмпирические методы расчетов $n(\hbar\omega)$, основанные на использовании дисперсионных соотношений Крамерса–Кронига, где диэлектрическая функция $\varepsilon_{2}(\hbar\omega)$ аппроксимируется с учетом особенностей зонной структуры конкретных материалов. В рамках этих методов обобщены экспериментальные данные для более чем 30 распространенных полупроводников A$^{\text{IV}}$, A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$, A$^{\text{II}}$B$^{\text{VI}}$, а также их трех- и четырехкомпонентных твердых растворов. Обсуждается влияние примесей и свободных носителей заряда на рефрактометрические параметры. Дается обзор фотоупругих, электрооптических и магнитооптических свойств полупроводников, рассматриваются эффекты нелинейной рефракции. В удобном для инженерных расчетов виде приведен обширный материал справочного характера.