Корреляционное распределение примесей в нелегированных эпитаксиальных слоях твердых растворов GaAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$

На основании исследования эффекта долговременных релаксаций проводимости при тепловом и оптическом возбуждении, а также анализа температурных и концентрационных зависимостей холловской подвижности сделан вывод о том, что низкая концентрация носителей заряда в нелегированных эпитаксиальных слоях GaAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$ $n$-типа проводимости связана с высокой степенью компенсации. Распределение акцепторных центров является коррелированным, приводящим к образованию высокоомных областей, в которых концентрация компенсирующих акцепторных центров существенно выше, чем в среднем в объеме слоя.