Межпримесная рекомбинация дырок через $A^{+}$-состояния в слабо компенсированном $p$-Si

Исследована кинетика примесной фотопроводимости (ПФП) образцов Si$\langle\text{В}\rangle$ с концентрацией бора ${N_{a}=(1\div7)\cdot10^{16}\,\text{см}^{-3}}$ и степенью компенсации ${K<10^{-3}}$. Измерения ПФП проводились в области температур ${4.2\div18}$ K при слабой фоновой подсветке полупроводника. Обнаружено, что в образцах Si$\langle\text{B}\rangle$ с ${N_{a}\gtrsim4\cdot 10^{16}\,\text{см}^{-3}}$ нейтральные атомы бора играют роль как уровней прилипания, так и уровней непрямой рекомбинации; последняя доминирует в области температур ${4.2\div5}$ K. В результате на кривых релаксации ПФП при ${T< 6}$ K возникает область быстрого спада, амплитуда которого растет с понижением температуры. По величине постоянной времени медленной релаксации ПФП определены коэффициенты непрямой рекомбинации дырок через примесные $A^{+}$-состояния нейтральных атомов бора, а по соотношению амплитуд быстрой и медленной составляющих релаксации ПФП найдено отношение подвижностей дырок в валентной и примесной зонах.