Квантово-размерные InGaAsP/GaAs (${\lambda=0.86\div0.78}$ мкм) лазеры раздельного ограничения (${J_{\text{п}}=100\,\text{А/см}^{2}}$, КПД${}=59$%)

Сообщается о получении модифицированным методом жидкофазной эпитаксии InGaAsP/GaAs-лазеров раздельного ограничения, пороговые плотности тока в которых являются наиболее низкими из наблюдавшихся когда-либо для инжекционных лазеров (300 K). По мощности непрерывного излучения (${\sim1.7}$ Вт) и КПД преобразования электрической энергии в световую (59% с учетом излучения на два зеркала) эти лазеры находятся на уровне лучших AlGaAs/GaAs-лазеров, изготовленных методом молекулярной или газофазной эпитаксии.