RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 6, страницы 1035–1039 (Mi phts2897)

Влияние насыщения усиления на пороговые характеристики квантово-размерных InGaAsP/GaAs-гетеролазеров

Д. З. Гарбузов, А. В. Тикунов, С. Н. Жигулин, З. Н. Соколова, В. Б. Халфин


Аннотация: Рассматриваются особенности в зависимостях пороговой плотности тока и длины волны генерации от величины потерь на выход, характерные для полосковых лазеров с супертонкими квантово-размерными активными областями. Сопоставление соответствующих экспериментальных зависимостей, полученных для InGaAsP/GaAs-лазеров раздельного ограничения, с теоретическими расчетами, учитывающими нелинейный характер связи между усилением и током, позволяет количественно объяснить наблюдающиеся эффекты.



© МИАН, 2024