Об использовании электрооптического эффекта для изучения области пространственного заряда $p{-}n$-структур

Наблюдение электрооптического эффекта является распространенным приемом изучения распределения электрического поля Е в полупроводниках. Показано, что в $p{-}n$-переходах, для которых характерны значительные градиенты $E$, возникают эффекты, существенно затрудняющие интерпретацию результатов. Так, прошедший через обратно смещенный $p{-}n$-переход луч в зависимости от ориентации по отношению к вектору Е и кристаллографическим осям может расщепляться на два луча либо стягиваться.