Перестройка светом шума $1/f$ в арсениде галлия

Экспериментально исследован обнаруженный ранее эффект перестройки светом шума типа $1/f$ в чистом эпитаксиальном GaAs. Изучены спектральные и температурные характеристики эффекта. Показано, что эффект возникает благодаря зона-зонному переходу носителей или переходу мелкий акцептор–зона проводимости. Сделан вывод об ответственности за эффект дырок, возникающих в кристалле при освещении. Высказано предположение о том, что шум $1/f$ в чистом GaAs при величине параметра Хоуге ${\alpha\sim8\cdot10^{-5}\div10^{-3}}$ обусловлен суперпозицией генерационно-рекомбинационных процессов.