RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 6, страницы 1053–1056 (Mi phts2901)

Расслоение поля в коротких образцах кремния при многозначном распределении электронов

Г. В. Гигуашвили, О. Г. Сарбей


Аннотация: В условиях многозначных распределений электронов по эквивалентным долинам короткого образца кремния исследуются многослойная структура электрического поля и ее поведение в магнитном ноле. С этой целью изучена постоянная составляющая напряжения на потенциальных зондах, расположенных на боковых поверхностях образца. Предложена модель, описывающая экспериментальные данные. Последние были использованы также для оценки ширины слоев поперечного поля.



© МИАН, 2024