О реализации одномерных и квазиодномерных электронных каналов на вицинальных и профилированных поверхностях полупроводников

Теоретически рассмотрена возможность создания одномерного электронного газа в МДП и гетероструктурах на профилированной поверхности полупроводника. Вычислены энергии квантовых уровней в такой системе. Оценена область напряжений на затворе, в которой система будет носить одномерный характер. Рассмотрена также степень анизотропии указанных структур при больших поверхностных концентрациях носителей, когда электронный газ является двумерным и занимает всю поверхность полупроводника.