В. А. Беспалов, К. О. Болтарь, В. А. Федирко, Г. Ю. Хренов, “Исследование протекания тока в субмикронных полупроводниковых структурах при низких температурах”, Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 7,страницы 1239

Исследование протекания тока в субмикронных полупроводниковых структурах при низких температурах

В. А. Беспалов, К. О. Болтарь, В. А. Федирко, Г. Ю. Хренов

Аннотация: Экспериментально исследованы вольтамперные характеристики субмикронных диодных полупроводниковых структур на основе GaAs при температурах ${4.2\div100}$ K. Показано, что режим протекания тока в образцах может рассматриваться как баллистический.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 18.11.1985
Принята в печать: 06.01.1986