RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 6, страницы 1129–1131 (Mi phts2922)

Краткие сообщения

Релаксация фазы и локализация электронов в $n$-GaAs и $n$-InP вблизи перехода металл–диэлектрик

Т. И. Воронина, О. В. Емельяненко, А. Н. Дахно, Т. С. Лагунова, С. П. Старосельцева, З. И. Чугуева




© МИАН, 2024