RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 7, страницы 1177–1180 (Mi phts2935)

Радиационное дефектообразование в кремнии, легированном палладием

А. Мирзаев, Ш. Махкамов, Н. А. Турсунов


Аннотация: Методом емкостной спектроскопии подробно исследованы параметры уровней палладия в кремнии.
Показано, что палладий в кремнии проявляет амфотерные свойства и образует три уровня: донорные — ${E_{v}+(0.106\pm0.005)}$, ${E_{v}+(0.31\pm0.01)}$ и акцепторный — ${E_{c}-(0.22\pm0.01)}$ эВ с сечением захвата носителей тока ${\sigma_{p_{1}}=4.7\cdot10^{-16}}$, ${\sigma_{p_{3}}=1.1\cdot10^{-15}}$ и ${\sigma_{n_{2}}=4.9\cdot10^{-15}\,\text{см}^{2}}$ соответственно. Установлено, что при облучении гамма-квантами ${}^{60}$Co кремния, легированного палладием, повышается скорость образования комплекса вакансия + кислород. Повышение скорости образования комплексов вакансия + кислород объяснено радиационным распадом электрически неактивных комплексов палладия.



© МИАН, 2024