Влияние индуцированной электрическим полем анизотропии электропроводности на вольтамперные характеристики фотопроводимости в $n$-Si при 77 K

При 77 K в образцах $n$-Si различных кристаллографических ориентации обнаружена сильная ориентационная зависимость вольтамперных характеристик фотопроводимости (ВАХ ФП). На основе всей совокупности экспериментальных данных установлено, что указанная зависимость является прямым следствием развития двух типов поперечных концентрационных эффектов на неравновесных носителях в условиях индуцированной электрическим полем анизотропии электронной проводимости.