А. С. Веденеев, Е. И. Гольдман, А. Г. Ждан, А. В. Савостьянов, “Динамическая релаксационная спектроскопия — определение параметров локализованных электронных состояний в режиме периодической термостимуляции”, Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 7,страницы 1199

Динамическая релаксационная спектроскопия — определение параметров локализованных электронных состояний в режиме периодической термостимуляции

А. С. Веденеев, Е. И. Гольдман, А. Г. Ждан, А. В. Савостьянов

Аннотация: Предложен новый метод спектроскопии локализованных электронных состояний у границы раздела полупроводник–диэлектрик, основанный на модуляции темпа опустошения ловушек в процессе релаксации их заполнения путем периодического изменения температуры образца. По измеренным зависимостям медленно спадающей со временем и осциллирующей синхронно с температурой компонент разрядного тока можно одновременно определять спектральную плотность локализованных состояний и сечение захвата на них свободных носителей заряда.